代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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近期以来 ,多国芯片巨头上调产品报价。据央视财经报道,过去半年,全球存储芯片价格持续上涨 。特别是最近一个月 ,涨价消息越发密集。
据《科创板日报》不完全统计:
9月下旬,三星电子发出第四季度提价通知,计划将部分DRAM价格上调15%至30% ,NAND闪存价格上调5%至10%。
NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价,价格涨幅约10% 。
9月16日,西部数据通知客户将逐步提高所有HDD(机械硬盘)产品的价格。
9月上旬 ,闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。
涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖DRAM与NAND两种类型:前者是一种易失性半导体存储器,读取速度相对快但断电后数据瞬间消失,无法长期保存,近期受市场追捧的HBM也属于这一类型;后者属于非易失性存储 ,断电后数据仍能稳定留存,往往负责存放海量数据和模型参数,SSD、HDD等属于此列 。
根据摩根士丹利的最新研报预测 ,人工智能热潮下,存储芯片行业预计迎来一个“超级周期”。就在日前(10月1日),OpenAI与三星电子 、SK海力士宣布达成初步供货协议 ,两家韩国公司将为“星际之门 ”(Stargate)项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示,OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆 。
SK海力士在公告中称,这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片(HBM)产能的两倍多 ,凸显了“星际之门”项目规模之大以及全球人工智能发展之快。
进一步细分来看,在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的背景下,NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。
据悉 ,三星电子已着手开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。所谓HBF,是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构,区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM 。被称作“HBM之父”的韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩指出,当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量 ,速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。
摩根士丹利预计,到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。
此外,群联电子董事长潘健成近日接受采访时表示 ,SSD将成为大容量存储的主流选择,但目前与HDD对比,两者占比为2:8 ,由于SSD新增容量不足,预期2026年起NAND闪存将严重短缺,且未来十年供应都将紧张 。
与此同时 ,NAND Flash价格涨幅已反超DRAM。据CFM闪存市场报价,2025年第三季度,NAND Flash市场综合价格指数上涨5% ,DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看,NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%,DRAM市场综合价格指数上涨2.6% 。
展望后续,TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5-10%。中信证券认为 ,后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期,2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。
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